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提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析，针对器件多层结构的特点，建立起适当的热模型，模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型，使用有限元方法，对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟。考虑到模拟的精确性及软件的功能限制，采用两步模拟法：衬底模拟和有源区模拟。通过模拟，得到了发射极指的三维温度分布。结果表明，分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构，新结构有效地提高了器件的热稳定性。