BSIM3V3相关论文
该文在清华大学微电子所与美国Symmetry公司合作开发的半导体器件模型参数提取软件MODPEX中实现了局部优化技术,并提出了一种新的......
论文主要研究了应用在光通信领域的CMOS低通滤波宽带放大器和差分放大器的电路原理、结构特性与设计方法。对于低通滤波宽带放大......
单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点,文中提出一种单边高压MOS器件的模型,在不改变BSIM3V3模......
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型，增加了对漂移区影响的考虑，同时，加入自热效应......
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研究了深亚微米pMOS器件HCI（hot carrier injection）退化模型．采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述，基于这一栅电流模型改进......
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD（轻掺杂漏区）所引起的串联电阻异常，提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型．通过修改CMOS器件常......
<正>对于当前的集成电路设计技术,计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决......
随着高频无线通讯市场快速发展，高性能低成本的射频设计方案的需求也在增长。由于寄生参数偏置相关性和几何尺寸上可伸缩性的需求，以......
BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大......
功率VDMOS（垂直双扩散场效应晶体管）器件是功率电子的主流产品之一。凭借其输入阻抗高、安全工作区宽、开关速度快和热稳定性好等很......
目前,智能功率集成电路(SPIC)已经被广泛地应用于生产生活的许多领域,它的快速发展极大地推动了电子工业的进一步发展,被誉为“第......
