【摘 要】
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CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京100083,北京100083
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CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系统的实验,说明气体成分、工作气压、气体流量、射频功率以及掺入氩气对腐蚀效果的影响.
CH_4 / H_ 1 mixture can react with InP ion-exchanged at room temperature.As a result of the corrosion reaction, some deposits are formed, which is helpful to increase the passivation protection of the corrosion on the sidewall of the pattern, to achieve vertical corrosion and to improve the masking of the mask The experimental results show that this is a more practical corrosive gas system.We have systematically experimented with this corrosive system and show the effect of gas composition, working pressure, gas flow rate, RF power and argon incorporation on the corrosion effect.
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