【摘 要】
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用X射线透射扫描形貌术观察了用于制备高性能红外探测器的块状Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中的缺陷。结果表明:在用布里奇曼、碲熔剂和固态再结晶三种方法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中
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用X射线透射扫描形貌术观察了用于制备高性能红外探测器的块状Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中的缺陷。结果表明:在用布里奇曼、碲熔剂和固态再结晶三种方法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中观察到的主要缺陷是亚晶粒、嵌镶结构、位错和沉淀物;这三种方法生长的晶体的形貌象之间无明显的差别。
The defects in bulk Hg_ (1-x) Cd_xTe crystals for the preparation of high performance infrared detectors were observed by X-ray transmission scanning profilometry. The results show that the main defects observed in Hg_ (1-x) Cd_xTe crystals grown by Bridgman, tellurium flux and solid state recrystallization are subgrain, mosaic structure, dislocation and precipitate. There is no obvious difference between the topography of crystals grown by these three methods.
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