【摘 要】
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本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和
【机 构】
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中科院微电子中心研究部,中科院微电子中心研究部,中科院微电子中心研究部 北京100010,北京100010,北京100010
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本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和微图形成形应在退火前完成的建议.研制成的沟道长度为 0.6 μm的 TiSi_2polycide结构 LDD NMOSFET’S性能优良.
In this paper, the redistribution behavior of polycrystalline silicon doped in polycrystalline silicon in TiSi_2 / n + poly-Si composite structure during heat treatment and its causes and its influence on RIE etching are systematically studied. The method of phosphorus outgrowth and the micro-patterning should be completed before annealing.It has been shown that the TiSi_2polycide structure LDD NMOSFETs with a channel length of 0.6 μm are excellent.
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