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中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员发现了新型碳基二维半导体材料C3N。研究人员采用2,3-二氨基吩嗪小分子,通过水热合成方法成功实现了该单层二维新材料的制备。该材料是一种由碳和氮原子构成的类似石墨烯的蜂窝状无孔有序结构,是一种新型间接带隙半导体,本征带隙为0.39eV,带隙可以通过纳米尺寸效应进行调控,理论计算和实验结果一致。