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以硅烷和硼烷为气相反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化，以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明，刚制备出来的样品存在氧化现象，长时间光照会出现S-W效应，由于RTS噪声的存在，样品电阻会出现随机性波动。
掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究
【摘 要】
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以硅烷和硼烷为气相反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化，以及光照和噪声对材料电学性质的影响。
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2008年5期
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