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用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜（TEM）、电子探针X射线微区分析（EPMA）和扫描电镜能谱分析（EDX）等手段，对φ76mm非掺杂（ND）半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明：在晶体周边区域，由高密度位错运动和反应形成胞状结构，该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界，且位错与微缺陷有强烈的相互作用：杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低，存在条纹分布。