SI-GAAS相关论文
针对快前沿高重频脉冲的应用需求,设计并研制了一种基于半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料的新型脉冲压缩二极管,通过实验对其压缩性能和......
采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在......
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶......
采用超高压电子显微镜观察并研究了水平法生长掺Si-GaAs晶体的微夹杂,电子衍射分析表明它们主要是四方晶系的a-方石英(a_0=4.971......
研制了一套半绝缘半导体光电导率(PC)和光霍尔特性(PH)测试系统。应用该系统测量了多种类型SI-GaAs体单晶室温和77K的光电导特性及......
本文报导了用卤素灯作加热源的快速退火系统研究Si~+注入高纯SI-GaAs的快速退火特性,得到了良好的注入激活层,并制成了6GHz下输出......
使用高频感应加热的石墨作为红外热辐射源研究了SI-GaAs中Si注入的快速热退火(RTA)。对快速热退火在缺陷消除方面较常规退火具有的......
采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-......
报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的......
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比......
本文报道了LEC-SI-GaAs单晶生长研究及其结果.结合材料应用,生长了一种轻掺铬SI-GaAs单晶.用这种单晶作衬底,经汽相外延,离子注入......
5.SI—GaAs的离子注入技术 在GaAs IC/工艺中,通常采用有选择的离子注入,在SI-GaAs衬底上,形成有源层、欧姆接触层、电阻层及器件......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的......
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光......
砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量......
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产......
采用pl mapping技术,检测6英寸Si-gaaS晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况.本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富......
ＳｐａｔｉａｌＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＧａＡｓＲｕＱｉｏｎｇｎａ；ＬｉＧｕａｎｇｐｉｎｇａｎｄＨｅＸｉｕｋｕｎ（汝琼娜）（李光平）（何秀坤）（ＴｉａｎｊｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ.........
ＳｐａｔｉａｌＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＧａＡｓＲｕＱｉｏｎｇｎａ；ＬｉＧｕａｎｇｐｉｎｇａｎｄＨｅＸｉｕｋｕｎ（汝琼娜）（李光平）（何秀坤）（ＴｉａｎｊｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ.........
ＣｏｒｒｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓｏｆｌｏｎｉｚｅｄＥＬ２ａｎｄＣａｒｂｏｎＡｃｃｅｐｔｏｒｉｎＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＹａｎｇＲｕｉｘｉａ（杨瑞霞）（ＨｅｂｅｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅ.........
研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火），不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激......
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜（TEM）、电子探针X射线微区分析（EPMA）和扫描电镜能谱分析（EDX）等手段，对φ76mm非掺杂（ND）半绝缘砷化......
在SI—GaAs Si<sup>+</sup>注入层中共同注入P<sup>+</sup>可以改进注入层的电特性。P<sup>+</sup>的共同注入提高了注入层的激活......
本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长......
本文介绍了国内外ＳＩ－ＧａＡｓ材料的市场现状应用，简述了ＳＩ－ＧａＡｓ材料制备新工艺和提高质量水平的途径，指出ＳＩ－ＧａＡｓ材料的发展方向及市场前景，并对我国ＳＩ－ＧａＡｓ材料与国外......
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替G......
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和......
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
本文报导0.6～5MeV高能Si~+离子注入LEC半绝缘GaAs的快速退火效果,在950℃温度下退火5秒得到最佳电特性.采用多能量叠加注入已制备出......
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用......
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入......
Determination of substitutional carbon in SI-GaAs thin wafers was investigated by FT-IR microscopeat room temperature fo......
ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＳｈｉＹｉ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ（.........
ＲｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＥＬ２ＧｒｏｕｐａｎｄＥＬ６ＧｒｏｕｐｉｎＳＩ－ＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ吴凤美（Ｄｅｐｏｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ）ＺｈａｏＺｈｏｕｙｉｎ.........
ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＤｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩ－ＧａＡｓａｎｄＳｅ－ｄｏｐｅｄＥｐｉｔａｘｉａｌＬａｙｅｒＩｒｒａｄｉａｔｅｄｂｙ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＬｉＨａｉｆｅｎｇ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＣｈｅｎｇＧｕｎｇｘｕａｎｄＨ.........
目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单......
本文对LEC不掺杂SI-GaAs的热处理特性进行了实验研究和分析。结果表明,As、Ga原子从表面挥发及缺陷的内扩散引起表面热蚀和热致导......
<正> 3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较......
通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶......
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪......
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2......
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分......
利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测......
