论文部分内容阅读
铝掺杂氧化锌（ZAO）透明导电膜兼具电阻率低和透光性好的特点，在光学与光电子领域具有广阔的应用前景。本文以微米级的高纯超细ZnO和Al2O3粉体为原料，通过控制适当的素坯成型压力，烧结前增加冷等静压环节，优化烧结工艺，制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材。在16MPa的成型压力，120MPa冷等静压，1350℃×1h的烧结工艺下，制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材，其致密度达98．0％，电阻率为1．8×10^-2Ω·cm，接近于热等静压所制备出的ZAO靶材。利用自制靶材