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采用直流反应磁控溅射法，在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜，然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜（sEM）对样品进行了表征。结果表明：ZnO经0．5h硫化就能全部生成ZnS，适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性，但硫化时间超过2h后，结晶性会有所降低；所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长，其晶粒明显比ZnO更大。此外，这些ZnS薄膜在500～1100am波长范围内的光透过率均高达约75％，带隙为3．65～3．70eV。