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对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系.对实验结果进行了分析讨论.试验表明:在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大.
剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响
【摘 要】
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对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系.对实验结果进行了分析讨论.试验表明:在相同辐射剂量下,低剂
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2005年3期
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