【摘 要】
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提出复合介质埋层SOI（compound dielectric buried layer SOI，CDL SOI）高压器件新结构，建立其电场和电势分布的二维解析模型，给出CDLSOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判
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提出复合介质埋层SOI（compound dielectric buried layer SOI，CDL SOI）高压器件新结构，建立其电场和电势分布的二维解析模型，给出CDLSOI和均匀介质埋层SOI器件的RESURF条件统一判据．CDLSOI结构利用漏端低k（介电常数）介质增强埋层纵向电场，具有不同k值的复合介质埋层调制漂移区电场，二者均使耐压提高．借助解析模型和二维数值仿真对其电场和电势进行分析，二者吻合较好．结果表明，对低k值为2的CDLS01LDMOS，其埋层电场和器件耐压分别比常规SOI结构提
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