提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variablelowkdielectriclayer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组......

提出了一种可变低κ（相对介电常数）介质层（variable low κ dielectric layer，VLkD）SOI高压器件新结构，该结构的埋层由可变κ的不同介质......

提出复合介质埋层SOI（compound dielectric buried layer SOI，CDL SOI）高压器件新结构，建立其电场和电势分布的二维解析模型，给出CDLSOI......