【摘 要】
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SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难。文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表
【机 构】
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郑州大学机械工程学院,河南科技学院机电学院
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SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难。文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律。结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度。固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0μm增大到4.7μm。随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4
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