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用射频磁控反应溅射的方法，以Ａｌ及Ａｌ＋ＭｎＦ２为靶材，石英玻璃为衬底，在不同的射频功率下，制备了ＡｌＮ多晶态徘晶态两类薄膜。发现非晶态吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动２０ｎｍ，对于非晶态薄膜，通过喇曼光谱的分析，得到了ＡｌＮ薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属Ａｌ和块状ＭｎＦ２共溅射的方法，制备了ＡｌＮ：ＭｎＦ２薄膜，在退火后的多晶态样品中，测得了Ｍｎ的特征光致发光。