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用射频磁控反应溅射的方法,以Al及Al+MnF2为靶材,石英玻璃为衬底,在不同的射频功率下,制备了AlN多晶态徘晶态两类薄膜。发现非晶态吸收峰位置较多晶态薄膜向短波移动20nm,对于非晶态薄膜,通过喇曼光谱的分析,得到了AlN薄膜的特征声子能量的信息。首次用金属Al和块状MnF2共溅射的方法,制备了AlN:MnF2薄膜,在退火后的多晶态样品中,测得了Mn的特征光致发光。