多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压

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【摘要】

：

利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT.讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)

【作者】

：

李兴教

【机构】

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华中科技大学,武汉理工大学,Advanced Recording Technology Laboratory

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

多层铁电薄膜内建电压刻印失效非对称的整流特性

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利用准分子激光在p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜BIT/PZT/BIT、PZT/BIT和BIT.讨论了多层铁电薄膜界面内建电压,其中Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb最小而Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb最大,但Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的ΔVb与Au/BIT/p-Si(100)的ΔVb相差不多.Au/BIT/PZT/TBIT/p-Si(100)的I-V特性曲线非对称的整流特性和P-V回线的刻印失效是最小的而Au/BIT/p-Si(100)的则是最大的.

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