【摘 要】
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报道了在水平、常压MOVPE实验型生产装置中 ,采用互扩散多层工艺 (IMP) ,用金属有机化合物DMCd、DiPTe和元素Hg ,在CdTe和GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜 ,其组分和薄膜厚度的均
【机 构】
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报道了在水平、常压MOVPE实验型生产装置中 ,采用互扩散多层工艺 (IMP) ,用金属有机化合物DMCd、DiPTe和元素Hg ,在CdTe和GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜 ,其组分和薄膜厚度的均匀性以及p型电学性质 ,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要求 ,同时 ,这种薄膜的生长具有一定重复性。
It is reported that HgCdTe films grown on CdTe and GaAs substrates using horizontal and normal pressure MOVPE experimental devices using interdiffusion multilayer technology (IMP), metal-organic compounds DMCd, DiPTe and elemental Hg, And the uniformity of the film thickness and the p-type electrical properties, initially reached the current requirements of the development of infrared focal plane array, at the same time, the growth of this film has a certain repeatability.
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