【摘 要】
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分析了基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）同步整流Buck变换器的各部分损耗，并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性，分析了死区时间形成过程，设计死区
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2016YFB0100700);上海市自然科学基金(16ZR1442300)~~
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分析了基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）同步整流Buck变换器的各部分损耗，并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性，分析了死区时间形成过程，设计死区时间调节电路。设计制作基于GaNHEMT和SiMOSFET10～20V输入、5V输出、6A最大负载电流及1MHz开关频率的变换器样机。测试结果表明，在18v输入时GaN变换器的最高效率为93．9％，比si变换器约高3％；GaN变换器最优死区时间为5ns．变换器效率随着死区时间增加而下降。
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