【摘 要】
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本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐830011,中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室!上海200050,中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐830011,中国科学院新疆物理研究所!乌鲁木齐
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本文采用 Sol- Gel法在 Pt/Ti/Si( 1 0 0 )衬底上制备了 Y掺杂半导化 Ba Ti O3的 PTC薄膜 ,前驱物为醋酸钡、钛酸四丁酯 ,溶剂体系选用乙二醇 -乙二醇甲醚 -甲醇 -水 ,添加乙酰丙酮作为螯合剂及聚乙二醇作为表面活性剂 .其 R- T特性转变温度约为 1 38℃ ,升阻比达 4个数量级 ,转变温区约 2℃ .
In this paper, Y doped semiconducting BaTiO3 PTC thin films were prepared by sol-gel method on Pt / Ti / Si (100) substrates. The precursors were barium acetate and tetrabutyl titanate. Ethylene glycol monomethyl ether-methanol-water, adding acetylacetone as chelating agent and polyethylene glycol as surfactant.The R-T transition temperature is about 138 ℃, the lift-drag ratio is up to 4 orders of magnitude , Change the temperature zone about 2 ℃.
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