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单层硫化钼（MoS2）因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构，而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p－n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性，分析了不同施主掺杂浓度（n－MoS2）和受主掺杂浓度（p－Si）对能带结构和输运特性的影响。研究表明：MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高，内建电势VD逐渐增大，而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外，发现p－Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度，均随着p－Si的受主掺杂浓度的增大而减小，但与n－MoS2的掺杂浓度关系不大。