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提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从∞时的器件击穿特性进行了研究,结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构。