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利用３μｍ工艺条件制得ＳｉＧｅ，器件的特征频率达到８ＧＨｚ．６００ＭＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．０４ｄＢ，相关功率增益为１２．６ｄＢ，１ＧＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．９ｄＢ，相关功率增益为９ｄＢ，器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景。
微波低噪声SiGeHBT的研制
【摘 要】
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利用３μｍ工艺条件制得ＳｉＧｅ，器件的特征频率达到８ＧＨｚ．６００ＭＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．０４ｄＢ，相关功率增益为１２．６ｄＢ，１ＧＨｚ工作频率下的最小噪声系数为１．９ｄＢ，相关功率增益为９ｄＢ，器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景。
【机 构】
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TsinghuaUniv
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
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