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本文对SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速SiGe/SiHBT结构和一个低噪声SiGe/SiHBT结构。并已初步研制成功台面结构SiGe/SiHBT和低噪声SiGe/SiHBT。为进一步高指标的SiGe/SiHBT的研究建立了基础。