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采用脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiQ(BST)薄膜;研究不同氧压下的BST薄膜的介电性能.结果表明,当沉积温度为680℃时不同氧压下的BST薄膜均择优(210)面取向生长;氧压为0.01Pa时取向因子稍大,为0.6637;当氧压从0.1Pa变化到0.001Pa时薄膜的平均粒径增大,介电常数增大.