掺杂TiO2的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

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通过固相反应法制备了(1-x)La2/3Ba1/3MnO3+xTiO2(x=0%~5%)多晶陶瓷样品.实验发现,随着TiO2掺杂量的增加,电阻率明显增大,金属-绝缘相转变温度Tp值下降.通过室温(300K)和低温(78 K)下不同磁场的磁电阻计算表明,适量的TiO2掺杂会明显提高材料的磁电阻性能;在1T磁场下,TiO2掺杂量为1%的样品室温磁电阻达到12%,这是未掺杂La2/3Ba1/3MnO3相同条件下的3倍,为磁电阻传感器研究提供了实验依据.
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