【摘 要】
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以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源, 以高纯氮气为载气, 采用热壁式管式反应炉, 通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,上海交通大学
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以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源, 以高纯氮气为载气, 采用热壁式管式反应炉, 通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiNx).借助椭圆偏振仪研究了SiNx薄膜的生长动力学, 通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiNx薄膜的性质, 并利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌.在其它工艺条件相同的情况下, SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加, 原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄
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