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着重讨论了ＴｉＮｘ薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和Ｘ射线光电子谱中线形的变化。利用已夼组元强度定量分析技术的ＬＭＶ俄歇电子峰，探讨ＴｉＮｘ薄膜中Ｎ含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与Ｘ射线光电子谱定量结果相致，同时，利用Ｘ射线光电子谱测定了ＴｉＮ和Ｔｉ２Ｎ２Ｐ轨道的结合能。并针对Ｔｉ２Ｐ峰形随Ｎ含量的变化，给出新的解释。