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ASM International N．V．宣布其已成功开发一项高速原子层沉积制程，能够为45nm高一K栅极制程提升一倍氧化铪（HfO2）薄膜的产量，进而延伸其於关键原子层沉积（ALD）市场的领导地位。新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模组上运作，并可使用既有的反应炉设备设计，并透过专利的制程最适化技术达成产能的提升。新的制程已经在多间客户工厂的制造环境当中实地运作，并且在不对薄膜和装置效能产生负面冲击的前提下，提升超过一倍的沉积率。