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本文采用还原反应法，在Ar＋H２气体氛围中。射频磁控溅射制备Fe3O4薄膜．薄膜沉积在室温的[100]热氧化硅基体上，对薄膜样品进行X射线衍射（XRD）和电阻率（ρ）测量，结果显示在H2：Ar=γ=2％，或3％时薄膜的成分完全是Fe3O4，并且具有沿[111]方向取向生长的特性．对薄膜（γ=3％）进一步研究，发现该薄膜的表面成分为Fe3O4；在120K附近发生Verwey转变，其导电机制以电子的变程跳跃（VRH）为主；饱和磁化强度为440emu／cm^3；在5特斯拉的外场中有4．6％的室温磁电阻。