【摘 要】
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用300埃SiO_2-300埃Si_3N_4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET (场效应晶体管)。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于使用了n型或p型掺杂的多晶硅场屏蔽,故才实
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用300埃SiO_2-300埃Si_3N_4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET (场效应晶体管)。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于使用了n型或p型掺杂的多晶硅场屏蔽,故才实现很低的n沟漏泄电流。单管动态存贮单元有长的平均保存时间:n沟单元为158秒,p沟单元为34秒。为了防止在偏置温度应力下Vt漂移大,必须在氧气或水汽气氛中进行Si_3N_4退火。
An n-channel, p-channel silicon gate FET (Field Effect Transistor) was fabricated using a 300-angstrom SiO 2 -300 angstrom Si 3 N 4 insulated gate. These devices have low leakage current and are suitable for dynamic FET memory. Due to the n-type or p-type doped polysilicon field shield, a very low n-channel leakage current is achieved. Single-tube dynamic storage unit has a long average retention time: n-groove unit is 158 seconds, p-groove unit is 34 seconds. In order to prevent Vt drift under bias temperature stress, Si_3N_4 annealing must be performed in oxygen or steam atmosphere.
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