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SiO_2-Si_3N_4相关论文
带有SiO_2-Si_3N_4栅绝缘层的低漏泄电流n沟、P沟硅栅FET
用300埃SiO_2-300埃Si_3N_4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET (场效应晶体管)。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于......
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