【摘 要】
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文章提出了功率系统级芯片(PSoC,PowerSystemonChip)的概念,介绍了PSoC的几种基本技术;综述了该领域内近年来的一些研究成果:PSoC中超深亚微米非均匀沟道DMOS阈值特性,He注
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学院,电子科技大学微电子与固体电子学
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文章提出了功率系统级芯片(PSoC,PowerSystemonChip)的概念,介绍了PSoC的几种基本技术;综述了该领域内近年来的一些研究成果:PSoC中超深亚微米非均匀沟道DMOS阈值特性,He注入高速瞬态特性,新型功率变换调制模式———脉冲跨周期调制(PSM,PulseSkipModulation)等。期望能对PSoC的发展起到抛砖引玉的作用。
In this paper, we introduce the concept of power system-on-chip (PSoC) and introduce some basic techniques of PSoC. Some research results in recent years in this field are summarized: the threshold characteristics of ultra-deep submicron non-uniform channel DMOS in PSoC, Into the high-speed transient characteristics, the new power conversion modulation mode --- pulse cross-cycle modulation (PSM, PulseSkipModulation) and so on. It is hoped that it can play a valuable role in the development of PSoC.
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