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本文阐述了硅单晶中微缺陷漩涡产生的条件及形成原因,认为微缺陷陷漩涡与制备硅单晶时的热历程有关,杂质是微缺陷的成核中心,自间隙原子及杂质的络合产生微缺陷漩涡,解决方法是;建立合适的热场和工艺条件,如提高热场高度和晶速度,适当增大保护气体的流通量,达到减少微区回熔和杂质污染的目的,从而减少或消除微缺陷漩涡。