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用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20min后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在13MHZ的频率下,分别获得了63%和7%的纵向和横向磁阻抗比