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NEC最近开发了新的布线技术。即:采用CVD沉积AlCu膜。它与原方法相比,大幅度减少了穿通电阻及制作工序。V:llS:I布线技术力求减小布线成本及穿通电阻。解决诸课题的方法是:在形成通孔和布线槽的层间介质膜上沉积金属,尔后,用CMP形成布线图形的镶嵌法。在本技术中,为了形成镶嵌结构中的微细、深通孔及布线槽,采用了台阶覆盖性较佳的CVD法。由此,可埋设宽0.18mp、深0.gmp的槽。而且,为了改善纯州布线中的难题——可靠性,采用了边添加Cll边淀积则膜来形成AICll合金膜。采用本技术形成的双镶嵌布线与