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本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施。
红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制
【摘 要】
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本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,香港科技大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年11期
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