【摘 要】
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采用一甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,MTS)和高纯氢气(H2)为原料,通过化学气相沉积技术(CVD)在石墨基体表面沉积了一层碳化硅(SiC)膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对膜
【基金项目】
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国家重点研发计划项目:《半导体产业用大尺寸高纯陶瓷部件制造技术》子课题项目《MOCVD用C@CVD-SiC承载部件》
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采用一甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,MTS)和高纯氢气(H2)为原料,通过化学气相沉积技术(CVD)在石墨基体表面沉积了一层碳化硅(SiC)膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对膜层断面的显微结构和元素组成进行了观察和分析,采用金相显微镜和表面粗糙度轮廓仪对膜层的表面微观形貌和表面粗糙度进行了观察和测试,采用排水法对膜层密度进行了测试。结果表明,采用密度1.88g/cm^3、三点抗弯强度为79.30MPa的高致密度、高强度石墨作为基体材料时,在优化的CVD工艺条件下制备的SiC膜层密度为
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