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沉积条件和内应力对a—Si:H膜光致发光谱的影响
沉积条件和内应力对a—Si:H膜光致发光谱的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shijun21
【摘 要】
:
实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。
【作 者】
:
王万录
高锦英
廖克俊
【机 构】
:
兰州大学物理系,兰州大学物理系730001,730001
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
1991年5期
【关键词】
:
a-Si:H膜
沉积
内应力
发光谱
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实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。
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