Al/LB绝缘膜/Si结构界面态研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mumuww
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I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(~0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)~10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)~10~(13)和10~(11)~10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。所有结果表明,在硅禁带中央附近具有较大的界面态密度。 The I-V characteristic method shows that the interface state density of single-layer LB polyimide films (~ 0.5nm) is 10 ~ (12) ~ 10 ~ (13) cm ~ (-2) eV ~ (-1). For the 11 and 41 layer LB polyimide films, the interface state densities obtained by DLTS were 10 ~ (12) ~ 10 ~ (13) and 10 ~ (11) ~ 10 ~ (12) cm ~ eV ~ (-1). All the results show that there is a large interface state near the center of the band gap.
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