氯硅烷吸收HCl工艺的模拟

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采用ASPEN plus软件对改良西门子法制备多晶硅工艺中的HCl吸收过程进行了模拟。提高压力至11bar以上,降低温度至-40℃以下,有利于H 2纯度提升至85%(w)以上。同时分析了压力、吸收剂量和温度,以及吸收剂组成等对吸收效果的影响。在不同温度和压力下,分别计算了HCl在SiHCl3和SiCl4中的溶解度。虽然HCl在SiHCl3中比SiCl4中的溶解度高,但由于SiHCl3挥发度比SiC
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