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,Effects of Ⅴ/Ⅲ ratio on species diffusion anisotropy in the MOCVD growth of non-polar a-plane GaN f
【机 构】
：
Research Center for Wide Gap Semiconductors,Peking University,State Key Laboratory for Artificial Mi
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2010年1期
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