【摘 要】
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在(0001)取向的蓝宝石(αt-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000 A的Al0.22Ga0.7aN/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了
【机 构】
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南京理工大学理学院应用物理系,南京大学固体微结构物理国家重点实验室,中国科学院高能物理研究所
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在(0001)取向的蓝宝石(αt-A12O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000 A的Al0.22Ga0.7aN/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM).结果表明,样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联.样品势垒层的微应变已经发生弛豫,而且具有一种"非常规"应变弛豫状态,这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-A12O3界面应变弛豫状态有关.掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的,由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态,与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致.
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