【摘 要】
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SIPOS膜的制备是采用SiH_4—N_2O—N_2混合气体在650℃温度下反应,在硅衬底表面生长一层钝化膜。我们清楚地看到膜的性质与氧浓度有密切的关系。此外,对SIPOS膜的物理性质和
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SIPOS膜的制备是采用SiH_4—N_2O—N_2混合气体在650℃温度下反应,在硅衬底表面生长一层钝化膜。我们清楚地看到膜的性质与氧浓度有密切的关系。此外,对SIPOS膜的物理性质和化学性质进行了测量,进一步证明了此膜是掺氧多晶硅。同时指出该膜用途极其广泛。
SIPOS film is prepared by using SiH 4 -N 2 O 2 N 2 mixed gas to react at a temperature of 650 ° C. to grow a passivation film on the surface of the silicon substrate. We clearly see that the nature of the membrane is closely related to the oxygen concentration. In addition, the physical and chemical properties of the SIPOS film were measured, further demonstrating that the film is an oxygen-doped polysilicon. Also pointed out that the use of the film is extremely wide.
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