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期刊论文
基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响
基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响
来源 :北京科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:scutzq
【摘 要】
:
采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-CN化合物。使用X射线光电子能谱研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a-和
【作 者】
:
张永平
时东霞
【出 处】
:
北京科技大学学报
【发表日期】
:
2000年2期
【关键词】
:
成分
MPCVD
基本温度
碳氮薄膜
结构
-C3N4
microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD)
【基金项目】
:
国家自然科学基金!19674009
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采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-CN化合物。使用X射线光电子能谱研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高。
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