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在传统的等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition)技术基础上,通过添加磁场来约束等离子体相中的电子,增加单体有机大分子的电离率,称为磁化等离子体(M-PECVD)技术。实验采用六甲基二硅氧烷和氧气混合气体作为沉积氧化硅薄膜的前驱气体,在厚度为12μm的PET薄膜表面沉积氧化硅薄膜。通过FTIR分析薄膜的结构成分,表明不同的功率对沉积薄膜的结构没有影响,只是对应于1030cm-1的Si—O峰的强度不一样.氧气透过率(OTR)测量发现:随着功