【摘 要】
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设计填料为半导体纳米晶须、基体为高分子聚合物是制备具有良好介电性能和力学性能材料的基本要求。首先利用化学改性法将不同硅烷偶联剂修饰在碳化硅晶须(SiCw)表面，再利用溶
【机 构】
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西安建筑科技大学材料与矿资学院功能材料研究所
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设计填料为半导体纳米晶须、基体为高分子聚合物是制备具有良好介电性能和力学性能材料的基本要求。首先利用化学改性法将不同硅烷偶联剂修饰在碳化硅晶须(SiCw)表面，再利用溶液流延法制备改性SiCw/聚偏氟乙烯(PVDF)复合薄膜。采用直接观察、FT-IR和热重分析对SiCw的改性效果进行评价，通过SEM观察SiCw在PVDF中的分布情况，并测试了该复合薄膜的介电性能随温度的变化情况。结果表明：利用本文的试验方法可成功将硅烷偶联剂引入到SiCw表面；SEM结果显示，利用化学改性法可有效改善SiCw的团聚问题，使
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