【摘 要】
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以C4F8和CH4为原料气,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜,在实验条件下所得薄膜的介电常数为2.3.薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n＝1～3
【机 构】
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复旦大学电子工程系CVD室,台湾半导体制造公司（TSMC）新竹
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以C4F8和CH4为原料气,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜,在实验条件下所得薄膜的介电常数为2.3.薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n＝1～3)基团外,还含有少量的C＝O,C＝C等不饱和双键,没有迹象表明C-H和O-H的存在.X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3(8%)、CF2(19%),CF(26.7%)、C-CFn(42.5%),C-C(3.3%)和C＝O(0.5%),表明薄膜中大约54%的碳原子与氟成键,大约43%的碳原
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