【摘 要】
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采用磁控溅射-熔覆法制备了铜/钼接头,并通过室温静态拉伸试验对其结合性能进行了测试.采用光学显微镜观察了Cu/Mo结合界面附近的显微组织,并利用扫描电镜(配X射线能谱仪)分
【机 构】
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西部金属材料股份有限公司,陕西西安710065;西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048
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采用磁控溅射-熔覆法制备了铜/钼接头,并通过室温静态拉伸试验对其结合性能进行了测试.采用光学显微镜观察了Cu/Mo结合界面附近的显微组织,并利用扫描电镜(配X射线能谱仪)分析了断口形貌及Cu/Mo界面附近的Cu,Mo,Ni和Cr合金元素分布情况.结果 表明,添加适量的Ni、Cr等合金元素可使结合界面形成4～5 μm的扩散层,从而有利于铜和钼的连接.在5.o×10-3 Pa真空度下,1200℃熔覆并保温60 min,然后缓慢冷却,制得接头的抗拉强度为156MPa.钼和铜均发生了再结晶,其中钼的平均晶粒尺寸约为20 μm,而铜的晶粒尺寸达数百微米.室温拉伸条件下,接头由钼侧发生脆性断裂,断口特征由心部到边缘依次为解理断裂、混合(晶间+韧窝)断裂、剪切断裂.
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