精确确定半导体材料临界点的能量值

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分析表明波长调制反射谱的实质,是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比,将MOCVD方法生长的GaInP以及掺Si和掺Zn三个样品,用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱,并求其一级和三级微商谱。将用于分析电反射谱的三点法推广用于分析介电函数的一级和三级微商谱,得到波长调制和弱电场调制反射谱的实验结果,并与介电函数谱的结果加以比较,使灵敏度和分辨率有很大提高
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